CMP slurry composition for polishing metal wiring and polishing method using the same

금속 배선 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법

Abstract

본 발명은 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 금속 착화합물, 및 고분자 화합물을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 고분자 화합물로 아크릴산과 아크릴아미드의 공중합 비율이 1:30 내지 30:1인 아크릴산-아크릴아미드 공중합체를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타내어 연마 공정 시간이 짧으며, 이로전(erosion) 등의 표면 결함이 적으므로 금속 배선 연마 공정에 유용하다. 금속 배선, CMP 슬러리, 아크릴산-아크릴아미드 공중합체, 연마 속도, 이로전(erosion), 표면 결함

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    KR-100497409-B1June 28, 2005제일모직주식회사Slurry composition for chemical mechanical polishing of metal

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