실리콘 결정 성장용 석영 도가니의 코팅 방법 및 실리콘 결정 성장용 석영 도가니

Coating method of quarts crucible for silicon crystal growth and quarts crucible for silicon crystal growth

Abstract

실투 코팅에 형성되는 핀 홀의 직경을 작게 억제할 수 있는 실리콘 결정 성장용 석영 도가니의 코팅 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 코팅 방법에서는, 실리콘 결정 성장용 석영 도가니의 내면에 두께 80μm 이상 4mm 이하의 무기포 석영층을 형성하고, 상기 무기포 석영층의 표면을 알칼리토류 수산화물로 피복한 후, 상기 표면에 실투가 발생하는 온도 이상으로 가열한다. 상기 피복은, 상기 내면을 상기 알칼리토류 수산화물의 용액에 침지시켜 행할 수도 있다. 또한, 상기 가열은, 상기 실리콘 결정 성장용 석영 도가니에, 용융 원료인 고체 원료를 충전하기 전에 행할 수도 있다.

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    JP-2008081398-AApril 10, 2008Heraeus Shin-Etsu America Inc, Shinetsu Quartz Prod Co Ltd, ヘリーアス シンエツ アメリカ インク, 信越石英株式会社バリウムドープされた内壁を有するシリカガラスるつぼ

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